該試驗(yàn)檢查芯片長(zhǎng)期貯存條件下，高溫和時(shí)間對(duì)器件的影響。本規(guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測(cè)試階段的HAST測(cè)試需求，僅針對(duì)非密封封裝（塑料封裝），帶偏置（bHAST）和不帶偏置（uHAST）的測(cè)試。
溫度、濕度、氣壓、測(cè)試時(shí)間
? 通常選擇HAST-96，即：130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測(cè)試時(shí)間。
? 測(cè)試過(guò)程中，建議調(diào)試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數(shù)據(jù)推算芯片結(jié)溫，要保證結(jié)溫不能過(guò) 高，并在測(cè)試過(guò)程中定期記錄。結(jié)溫推算方法參考《HTOL測(cè)試技術(shù)規(guī)范》。
? 如果殼溫與環(huán)溫差值或者功耗滿足下表三種關(guān)系時(shí)，特別是當(dāng)殼溫與環(huán)溫差值超過(guò) 10℃時(shí)，需考慮周期性的電壓拉偏策略。
? 注意測(cè)試起始時(shí)間是從環(huán)境條件達(dá)到規(guī)定條件后開(kāi)始計(jì)算；結(jié)束時(shí)間為開(kāi)始降溫降壓操 作的時(shí)間點(diǎn)。
電壓拉偏
uHAST測(cè)試不帶電壓拉偏， 不需要關(guān)注該節(jié)；
bHAST需要帶電壓拉偏 ，遵循以下原則：
（1） 所有電源上電，電壓：最大推薦操作范圍電壓（Maximum Recommended Operating Conditions）
（2） 芯片、材料功耗最?。〝?shù)字部分不翻轉(zhuǎn)、輸入晶振短接、其他降功耗方法）；
（3） 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內(nèi)拉高。
（4） 其他管腳，如時(shí)鐘端、復(fù)位端、輸出管腳在輸出范圍內(nèi)隨機(jī)拉高或者拉低；
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